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k8凯发-苏州第三代半导体厂商完成新一轮融资

来源: 发布日期:2026-04-05 00:47:16 字号

近期,姑苏中瑞宏芯半导体有限公司(下文简称:中瑞宏芯)完成新一轮融资,由两家上市公司结合投资,别离为纳芯微及优优绿能。

中瑞宏芯建立在2021年6月,重要研发及出产功率芯片及模块,深耕第三代半导体SiC范畴,重要产物包括SiC二极管、SiC MOSFET、SiC功率模块、SiC外延片等。

资料显示,中瑞宏芯重要技能笼罩了3D布局SiC器件技能、高压SiC MOSFET设计、厚外延/3D外延10kV级高压二极管技能、车规级靠得住性设计、SiC模块封装与集成工艺等。

此中,中瑞宏芯的3D布局SiC器件技能具备晋升电流密度、耐压、雪崩能力,常温/200℃高温反向泄电流低在国际同类1-2个数目级。公司的高压SiC MOSFET设计具备低导通电阻、高抗滋扰、低开关损耗、易驱动等特色,充电桩模块效率>97%。

-k8凯发

近期,姑苏中瑞宏芯半导体有限公司(下文简称:中瑞宏芯)完成新一轮融资,由两家上市公司结合投资,别离为纳芯微及优优绿能。

中瑞宏芯建立在2021年6月,重要研发及出产功率芯片及模块,深耕第三代半导体SiC范畴,重要产物包括SiC二极管、SiC MOSFET、SiC功率模块、SiC外延片等。

资料显示,中瑞宏芯重要技能笼罩了3D布局SiC器件技能、高压SiC MOSFET设计、厚外延/3D外延10kV级高压二极管技能、车规级靠得住性设计、SiC模块封装与集成工艺等。

此中,中瑞宏芯的3D布局SiC器件技能具备晋升电流密度、耐压、雪崩能力,常温/200℃高温反向泄电流低在国际同类1-2个数目级。公司的高压SiC MOSFET设计具备低导通电阻、高抗滋扰、低开关损耗、易驱动等特色,充电桩模块效率>97%。

-k8凯发

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